，近日Counterpoint发布的《2月内存价格追踪报告》，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%—90%，本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从去年第四季度的450美元，飙升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元关口。

　　Counterpoint高级分析师Jeongku Choi 指出：“存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM营业利润率已达到60%区间，这是通用DRAM利润率首次超过HBM。2026年第一季度，DRAM利润率将首次突破历史峰值。”

　　此外，TrendForce集邦咨询最新数据显示，受惠于AI浪潮的推升，存储器与晶圆代工产值均将在2026年同步创下新高。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响，产值规模大幅扩张至5516亿美元。尽管晶圆代工产值同步创下2187亿美元的新高纪录，但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的2倍以上。

　　TrendForce集邦咨询表示，随着Inference（推理）AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期，北美各大CSP自2025年底起开始强力拉货，刺激Enterprise SSD订单爆发。在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货以尽早补足库存，推升2026年第一季Enterprise SSD价格将季增53%—58%，创下单季涨幅最高纪录。

　　银河证券指出，1月份，存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年年中。当前时点，是存储芯片赛道下一轮周期的新起点，在AI服务器需求高速增长叠加国产替代，看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。

　　国金证券表示，如果说全球供需失衡是这轮超级周期的“底色”，那么国产替代的加速突破，就是点燃A股存储板块的“导火索”。国产存储的崛起已经形成了“产业链共振”。随着长鑫、长江存储等原厂扩产，国产半导体设备企业迎来了订单爆发期。

　　1. 存储芯片设计：该领域主要包括专注于DRAM、NAND Flash等存储芯片设计的上市公司。对于设计型企业而言，其盈利模式主要依赖于芯片的销售价差，因此在行业涨价周期中，其业绩弹性最为显著。随着三星、美光等国际巨头缩减低端产能并转向高利润的AI存储市场，消费级和工业级存储市场出现了供给缺口，这为国内存储设计厂商提供了绝佳的提价窗口。从基本面来看，前期由于存储价格暴跌，设计厂商毛利率普遍承压，随着现货价格触底反弹，相关企业的库存减值压力将转化为库存增值收益，毛利率有望在短期内快速修复。此外，国内厂商在利基型DRAM和嵌入式存储领域已具备较强竞争力，能够迅速填补国际大厂留下的市场空白，市场份额有望进一步扩大，从而在营收和净利润端实现“戴维斯双击”。

　　2. 存储模组与主控芯片：存储模组厂商处于产业链中游，负责将存储晶圆封装测试并组装成成品，而主控芯片则是模组的核心“大脑”。该领域深度受益于终端消费电子的复苏以及AI终端的普及。随着AI PC和AI手机概念的落地，单台设备的DRAM和NAND搭载容量需求大幅提升，例如AI手机通常需要16GB以上的DRAM和512GB以上的NAND，这远高于普通智能终端的配置。模组厂商凭借灵活的供应链管理和渠道优势，能够快速响应终端厂商的备货需求。同时，掌握主控芯片技术的模组厂商更具核心竞争力，因为主控芯片决定了存储设备的读写速度和稳定性，其价值量在模组中占比可观。在行业上行期，具备“自研主控+模组制造”双重能力的厂商，将不仅能赚取存储晶圆涨价的收益，还能通过技术溢价提升产品附加值，护城河更为坚固。

　　3. 存储封测与设备材料：封测环节是存储芯片产业链中不可或缺的一环，而设备与材料则是制造的基石。随着存储芯片出货量的增加，封测企业的产能利用率将显著提升，单位成本下降，进而改善盈利能力。特别是随着HBM等高端存储芯片的放量，对先进封装技术（如TSV、2.5D/3D封装）的需求激增，国内具备相关技术储备的封测龙头将迎来估值重构。另一方面，设备与材料领域主要受“国产替代”逻辑驱动。虽然短期内行业周期波动对其影响相对较小，但在外部环境不确定性增加的背景下，国内晶圆厂对国产设备和材料的验证导入意愿空前强烈。从光刻、刻蚀到薄膜沉积，各个环节的国产设备商正在加速实现从“0到1”的突破。大基金三期的加持，将进一步加速这一进程，使得设备材料领域成为存储产业链中长逻辑最硬、确定性最高的细分领域。

　　风险提示：本文提及的行业信息与企业动态仅作梳理，不构成任何投资建议；企业经营及市场波动存在不确定性，请注意相关风险。返回搜狐，查看更多